Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 3 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Metoda napěťového kontrastu v EREM
Krňávek, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Jirák, Josef (vedoucí práce)
Tato práce obsahuje teoretický popis základních vlastností a principu elektronové mikroskopie, se zaměřením na environmentální rastrovací elektronovou mikroskopii. Popisuje funkci mikroskopu, interakce probíhající po dopadu elektronového svazku na vzorek, především pak vznik zpětně odražených a sekundárních elektronů a metodu napěťového kontrastu. Praktická část se zabývá problematikou napěťového kontrastu pro sledování rozložení elektrických potenciálů na površích polovodičových součástek a stanovuje vhodné pracovní podmínky pro pozorování napěťového kontrasu pomocí scintilačního detektoru sekundárních elektronů.
Metoda napěťového kontrastu v EREM
Krňávek, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Jirák, Josef (vedoucí práce)
Tato práce obsahuje teoretický popis základních vlastností a principu elektronové mikroskopie, se zaměřením na environmentální rastrovací elektronovou mikroskopii. Popisuje funkci mikroskopu, interakce probíhající po dopadu elektronového svazku na vzorek, především pak vznik zpětně odražených a sekundárních elektronů a metodu napěťového kontrastu. Praktická část se zabývá problematikou napěťového kontrastu pro sledování rozložení elektrických potenciálů na površích polovodičových součástek a stanovuje vhodné pracovní podmínky pro pozorování napěťového kontrasu pomocí scintilačního detektoru sekundárních elektronů.
Metoda napěťového kontrastu v EREM
Krňávek, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Jirák, Josef (vedoucí práce)
Tato práce obsahuje teoretický popis základních vlastností a principu elektronové mikroskopie, se zaměřením na environmentální rastrovací elektronovou mikroskopii. Popisuje funkci mikroskopu, interakce probíhající po dopadu elektronového svazku na vzorek, především pak vznik zpětně odražených a sekundárních elektronů a metodu napěťového kontrastu. Praktická část se zabývá problematikou napěťového kontrastu pro sledování rozložení elektrických potenciálů na površích polovodičových součástek a stanovuje vhodné pracovní podmínky pro pozorování napěťového kontrasu pomocí scintilačního detektoru sekundárních elektronů.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.